Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: RAFAEL SILVA GONÇALVES
DATA: 28/10/2020
HORA: 14:00
LOCAL: SALA VIRTUAL
TÍTULO: ESTUDO DA COMUTAÇÃO RESISTIVA EM FILMES FINOS DE Fe2O3 OBTIDOS POR MAGNETRON SPUTTERING
PALAVRAS-CHAVES: ZnO, Filmes Finos
PÁGINAS: 108
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:
Neste trabalho são apresentados o efeito da espessura nas características de crescimento dos filmes finos de ZnO(t) e 𝛼-Fe2O3(t), e o estudo do comportamento de comutação resistiva das amostras de vidro/Cr/Ag/𝛼-Fe2O3(t) em função da espessura da camada ativa e da corrente de compliance (ICC). Os filmes finos foram depositados pela técnica de deposição Sputtering e são apresentados em dois grupos de amostras. As amostras foram analisadas através das técnicas de difratometria de raios X (DRX), microscopia de força atômica (AFM), reflectometria de raios X (RRX) e caracterização elétrica. O primeiro grupo foi dedicado ao estudo do efeito da variação da espessura no crescimento das amostras de vidro/ZnO(t) e vidro/𝛼- Fe2O3(t). Com o aumento da espessura dos filmes três regiões morfológicas distintas foram observadas, partindo de um crescimento do tipo ilha, que apresenta elevada rugosidade superficial, para um crescimento planar seguido do colunar. No grupo dois, as características de comutação resistiva das amostras vidro/Cr/Ag/α-Fe2O3(t) são apresentadas em função da espessura da camada ativa e da corrente de compliance. As amostras apresentaram baixos valores de VSET e VRESET e elevada razão OFF/ON. A transição entre os modos de comutação volátil e não volátil foram controlados pelo nível da corrente de ccompliance e pelo número de ciclos de comutação resistiva.