Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: LÍVIA LIMA ALVES
DATA: 07/08/2020
HORA: 15:00
LOCAL: SALA VIRTUAL
TÍTULO: Estudo teórico-computacional das propriedades estruturais e eletrônicas dos compostos fotocatalíticos InNbO4 e InTaO4
PALAVRAS-CHAVES: Teoria do Funcional da Densidade; propriedades estruturais; estrutura eletrônica; InNbO4; InTaO4.
PÁGINAS: 72
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

Neste trabalho foi realizado um estudo teórico e computacional das propriedadesestruturais e eletrônicas dos compostos InNbO4 e InTaO4 que são candidatos paraaplicação em fotocatálise. O principal objetivo do trabalho foi resolver questõesdivergentes da literatura relacionadas com a estrutura eletrônica desses materiais. Paraeste estudo utilizou-se o método de cálculo de estrutura eletrônica denominado de FullPotential Linearized Augmented Plane Wave baseado na Teoria do Funcional daDensidade e que se encontra implementado no código computacional WIEN2k. Os efeitosde troca e correlação eletrônica foram aproximados através do funcional abreviado porGGA-PBEsol e dos potenciais GLLB-SC, BJ, mBJ e suas parametrizações, sendo estesúltimos usados pela primeira vez neste trabalho. Os parâmetros de rede e as posiçõesatômicas nas células unitárias do InNbO4 e InTaO4 foram otimizadas usando o funcionalGGA-PBEsol afim de obter a geometria de equilíbrio. Os resultados obtidos para osparâmetros de rede e as distâncias interatômicas de ambos os compostos mostraram boaconcordância quando comparados com os valores das medidas experimentais. Osresultados dos cálculos de estrutura eletrônica revelaram que o potencial BJ foi o quedescreve o valor de band gap que melhor concorda com algum dos valores experimentaisjá publicados na literatura, com um valor de 3,70 eV para o InNbO4 e de 4,20 eV para oInTaO4. Também foi obtida as estruturas de bandas para os dois compostos, querevelaram a natureza da energia de band gap. Ficou inferido para o InNbO4 que o seuband gap fundamental pode ser classificado como direto ou indireto, e no caso do InTaO4seu band gap tem natureza indireta. O topo da banda de valência em ambos os compostosé dominado por estados 2p dos átomos de oxigênios, enquanto que no fundo da banda decondução dominam os estados 4d (no caso do InNbO4). Isso permite concluir que a maiorparte do espectro de absorção óptica desses materiais é devido às transições eletrônicasentre os estados ocupados “p” dos oxigênios e os estados desocupados “d” do Nb (ou Ta)

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1835424 - ADILMO FRANCISCO DE LIMA
Externo ao Programa - 2372402 - JOSÉ DIÔGO DE LISBOA DUTRA
Interno - 1347298 - MARCIO ANDRE RODRIGUES CAVALCANTI DE ALENCAR