Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: OSMAR MACHADO DE SOUSA
DATA: 16/02/2016
HORA: 09:00
LOCAL: SALA 23 DO DFI
TÍTULO: ESTUDO TEÓRICO DAS PROPRIEDADES ESTRUTURAIS, ELETRÔNICAS E ÓPTICAS DOS COMPOSTOS Bi4Ge3O12 e Bi4Si3O12.
PALAVRAS-CHAVES: Propriedades eletrônicas. Propriedades ópticas. Teoria funcional da densidade.
PÁGINAS: 76
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Esta dissertac~ao apresenta um estudo teorico baseado no formalismo da Teoria do Funcionalda Densidade (DFT) sobre as propriedades estruturais, eletr^onicas e opticas doscompostos: Bi4Ge3O12 (Germanato de Bismuto, BGO) e Bi4Si3O12 (Silicato de Bismuto,BSO). Foi utilizado como metodo de calculo o \Full Potential Linear Augmented PlaneWaves"(FPLAPW), implementado no codigo WIEN2k, considerado um dos mais precisosmetodos para calculos de estruturas eletr^onicas dos solidos cristalinos. Os efeitos detroca e correlac~ao foram simulados atraves dos potenciais LDA, GGA-PBEsol, BJ, mBJoriginal, mBJ P-presente e mBJ P-semicondutores. Os par^ametros de rede e as posic~oesat^omicas nas celulas unitarias do BGO e BSO foram otimizadas, am de atingir uma con-gurac~ao de mnima energia possivel. Os resultados obtidos para os par^ametros de redee das posic~oes at^omicas de ambos os compostos, mostraram boa concord^ancia quandocomparados com medidas experimentais. Os calculos da estrutura eletr^onica (estruturade bandas e densidade de estados eletr^onicos DOS) exibiram melhor concord^ancia com aexperi^encia quando o funcional mBJ P-semicondutor foi utilizado. Eles revelaram a naturezae o tamanho dos \gaps"fundamentais dos compostos, bem como o carater orbitalpredominante por volta destes. De acordo com os resultados, o BGO e BSO possuemgaps fundamentais indiretos de 5.05 e 5.36 eV em excelente concord^ancia com os valoresexperimentais 5.0 eV (BGO) e 5.4 eV (BSO). O topo da banda de val^encia em ambos oscompostos e dominada por estados 2p do O, com uma parcela n~ao desprezvel dos estados6s do Bi, ja o fundo da banda de conduc~ao e formada por estados 6p do Bi. Neste trabalhotambem foi calculada a func~ao dieletrica "(!) do BGO e BSO, bem como os seus ndicesde refrac~ao n(!) e reetividade R(!). A melhor concord^ancia com dados experimentaisfoi de novo atingida utilizando o funcional mBJ P-semicondutor. A analise da "(!) possibilitoua interpretac~ao do espectro de absorc~ao optica do BGO e BSO em termos dastransic~oes eletr^onicas entre as bandas. Os resultados revelaram que o uxo maior de tranfer^encia de energia ocorre dos estados 2p de O para os estados 6p do Bi, o qual consisteuma das etapas do processo de cintilac~ao no BGO e BSO. Foi concludo que os espectrosopticos determinados experimentalmente exibem forte depend^encia da temperatura,Nucleo de Pos-Graduac~ao em Fsica - UFSvie que os resultados teoricos obtidos nessa dissertac~ao descrevem bem propriedades opticase eletr^onicas do BGO e BSO nas temperaturas baixas, proximas a T=0K.