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Banca de QUALIFICAÇÃO: TARSILA MARÍLIA DE OLIVEIRA

Uma banca de QUALIFICAÇÃO de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: TARSILA MARÍLIA DE OLIVEIRA
DATA: 23/10/2015
HORA: 09:00
LOCAL: SALA 23DO DFI
TÍTULO: Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do tetraborato de magnésio (MgB4O7) e do defeito antissítio em compostos Bi12MO20 (M=Si,Ge,Ti) utilizando cálculos de primeiros princípios.
PALAVRAS-CHAVES: DFT, propriedades ópticas, estrutura eletrônica, energia de formação de defeito, defeito antissítio, tetraboratos, sillenites
PÁGINAS: 46
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Nesse trabalho será apresentado o estudo teórico, baseado na Teoria do Funcional da Densidade(DFT), das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas do tetraborato de magnésio MgB4O7 eo processo de otimização das estruturas dos cristais do tipo sillenites Bi12MO20 (BMO) ondeM=Ge, Si e Ti, contendo o defeito antissítio BiMO4. O processo de otimização dos parâmetrosde rede e posições atômicas dos cristais sillenites é feito com o objetivo para calcular a energiade formação do defeito antissítio.O MgB4O7:Dy e MgB4O7:Dy,Na são utilizados como detectores de nêutrons no Instituto deCiências Nucleares "Vinca"(Belgrado, Sérvia), bem como em outros institutos na Europa Central.A estrutura eletrônica e propriedades ópticas do MgB4O7 foram calculadas utilizando o métodoLAPW implementado no código computacional WIEN2k. Os efeitos de correlação e troca foramsimulados pelo recentemente desenvolvido potencial TB-mBJ, que foi mostrado de ser adequadopara tratamento de sistemas que possuem gap. Os cálculos da estrutura eletrônica resultaram emum valor do gap de 9.15 eV, bem próximo ao esperado (comparando com os compostos comparecida estrutura e composição). As características ópticas do MgB4O7 foram analisadas emtermos de seu tensor dielétrico complexo, cuja parte imaginária é diretamente proporcional aoespectro de absorção óptica. O espectro de absorção, índice de refração, coeficiente de extinção,refletividade e a perda de energia de elétrons foram analisados na região ultravioleta (até 40 eV).Os BMO exibem alta foto-sensitividade e mobilidade de portadores de carga, esses fatos favorecemo seu uso em holografia, ampliação de sinais luminosos e processamento de imagens.Usam-se também na interferometria dinâmica, em processamento óptico e armazenamento deinformação, tecnologia piezo elétrica, óptico-acústica etc. O processo de otimização para oscristais sillenites envolveu as estruturas cristalinas perfeitas dos compostos Bi12GeO20, Bi12SiO20e Bi12TiO20 e as otimizações das estruturas com defeito neutro, BMO:Bi0M, defeito positivo,BMO:Bi+1M , e defeito negativo, BMO:Bi􀀀1M , para os três casos onde M=Ge, Si, Ti. Os resultadosobtidos mostraram que o volume da estrutura otimizada possui valores muito próximos emrelação ao volume medido experimentalmente. O volume das estruturas calculadas teve umaumento de +5% para as estruturas do BSO e BGO e de +2% para a estrutura do BTO quandocomparados aos valores experimentais. Atualmente são executados os cálculos que levam emconta a interação spin-órbita do átomo de Bismuto e após esse processo serão calculadas asenergias de formações do defeito antissítio para os cristais BMO.


MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1835424 - ADILMO FRANCISCO DE LIMA
Interno - 3628511 - MARCOS VINICIUS DOS SANTOS REZENDE
Interno - 1502255 - SUSANA DE SOUZA LALIC

Notícia cadastrada em: 18/08/2015 18:17
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