Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ANDERSON LIRA DE SALES SANTOS
DATA: 30/03/2022
HORA: 14:00
LOCAL: SALA VIRTUAL - https://meet.google.com/bsc-snby-kuo
TÍTULO: Estudo de casos de defeitos intrínsecos e extrínsecos nos silicatos Lu2SiO5 e Y2SiO5 via modelagem computacional.
PALAVRAS-CHAVES: Silicatos, terra rara, modelagem computacional, método de minimização da energia, defeitos intrínsecos, defeitos extrínsecos, método de Mott-Littleton, dopantes.
PÁGINAS: 184
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

Neste trabalho foram aplicadas técnicas de modelagem computacional atomística clássicapara o estudo dos casos de defeitos intrínsecos e extrínsecos nos silicatos Lu2SiO5 (LSO)e Y2SiO5 (YSO) a temperaturas de 0 K e 300 K. A abordagem utilizada foi baseada nomodelo de potenciais interatômicos e método de minimização da energia da rede. Foidefinido um conjunto de potenciais e seus respectivos parâmetros, que foram ajustadosempiricamente, reproduzindo os parâmetros de rede com concordância de 97,80% e99,02% para LSO e YSO, respectivamente. Os defeitos foram calculados usando ométodo de Mott-Littleton. Foram adotadas duas condições para o cálculo dos defeitos.No caso em que os defeitos pontuais não interagem na rede, chamado de defeitos nãoligados, e o caso em que os defeitos pontuais interagem uns com os outros na rede,chamado de defeitos ligados. Todas as configurações possíveis foram consideradas paradefeitos intrínsecos tipo Frenkel e Schottky. Para os defeitos extrínsecos foi consideradaa dopagem substitucional de íons terra rara trivalentes nos sítios de Lu, Y e Si. Nossosresultados mostram que o defeito tipo Frenkel de O é o defeito intrínseco energeticamentemais favorável, enquanto para os defeitos extrínsecos são as dopagens de íons terra raratrivalentes nos sítios de Lu e Y em ambas as estruturas e em ambas as temperaturas.Cálculos de defeitos intrínsecos ligados mostraram que a vacância de oxigênio e o Ointersticial distanciados em cerca de 4 Å são energeticamente mais favoráveis. Noentanto, no LSO, tivemos a formação de um íon de O intersticial ligado exclusivamentea íons de Lu, enquanto o YSO favoreceu a formação de um íon intersticial ligado a doistetraedros de SiO4, com energia 65% menor que o caso do LSO. Para a dopagem de íonsterra rara trivalente, quanto maior for o raio iônico em comparação ao íon terra rarahospedeiro (Lu ou Y), menor o custo energético para incorporar o dopante na estrutura,bem como o número de coordenação do sítio e comprimento de ligação Lu-O/Y-Otambém ter efeito direto no custo energético. Outro fato importante é o dopante favorecera formação de pares vacância-interstício de O próximos no LSO, exceto para o dopanteCe3+ e Er3+, mais prováveis de serem formados mais distante. No YSO, esses defeitossão energeticamente mais prováveis de serem formados próximos aos dopantes, podendoter efeito direto nas propriedades luminescentes do material.

MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1835424 - ADILMO FRANCISCO DE LIMA
Interno - 1347298 - MARCIO ANDRE RODRIGUES CAVALCANTI DE ALENCAR
Presidente - 426667 - MARIO ERNESTO GIROLDO VALERIO
Externo ao Programa - 2584227 - RICARDO OLIVEIRA FREIRE
Externo à Instituição - VERÔNICA DE CARVALHO TEIXEIRA