Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: DIEGO DA SILVA EVARISTO
DATA: 19/07/2019
HORA: 15:00
LOCAL: SALA 23 DO NPGFI
TÍTULO: Estudo da dinâmica de crescimento filamentar na comutação resistiva em filmes finos de ZnFe2O4.
PALAVRAS-CHAVES: Comutação resistiva, ferrita de zinco, crescimento filamentar, corrente de compliance, eletrodos assimétricos, tempo de deposição.
PÁGINAS: 93
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

Neste trabalho estudamos a influência da corrente de compliance (ICC), espessura(tempo de deposição 1, 2, 3 e 4h) e do metal utilizado como eletrodo na dinâmica decrescimento filamentar na comutação resistiva das ferritas de zinco ZnFe2O4 (ZFO). Osfilmes foram obtidos pela técnica de pulverização catódica (Sputtering) sobre substratosde vidro fixando o eletrodo inferior e variando o metal utilizado como eletrodo superior.Os metais Ag, Cr e Al utilizados como eletrodos foram crescidos de forma simétrica(Metal 1 - ZnFe2O4 – Metal 1) e não-simétrica (Metal 1 - ZnFe2O4 – Metal 2) pararealização das medidas elétricas (curvas I x V) utilizadas para observação da comutação.Os pontos circulares com diâmetro de 1mm utilizados com contatos superiores foramdepositados com mascara de sombra por Sputtering. As propriedades dos filmes aquiestudados foram caracterizadas por meio de medidas de difração de raio-X e pormedidas de curvas I x V. Onde foi possível observar a formação da fase, estimar a taxa decrescimento e a espessura dos filmes, avaliar a resistência dos eletrodos e do filme bemcomo a comutação resistiva. Verificamos que os metais utilizados como eletrodoscrescem com uma direção preferencial mesmo sobre o vidro (amorfo), a faseZnFe2O4 foi observada para temperatura de 400 oC com mais de 2h de deposição. Osfilmes de ZnFe2O4 da forma como foi preparado apresenta uma resistência maior que100 MΩ. Os resultados demonstram a influência da corrente de compliance (ICC),espessura e dos contatos metálicos na dinâmica de crescimento dos filamentoscondutores. As medidas de comutação para os dispositivos com eletrodos assimétricosdemonstram a característica de comutação bipolar, no entanto, verificamos que parabaixas corrente de compliance o do dispositivo Cr/ZFO(4h)/Ag demonstrou o modo decomutação threshold. Verificamos a formação do contanto ôhmico na junção entre oeletrodo metálico e a camada isolante, comprovada por meio dos ajustes na relaçãolinear I x V de cada estado resistivo. Todos os dispositivos avaliados demonstram boascaracterísticas de comutação resistivas com boa estabilidade, repetibilidade e taxaon/off.

MEMBROS DA BANCA:
Externo ao Programa - 2372402 - JOSÉ DIÔGO DE LISBOA DUTRA
Interno - 1809133 - NILSON DOS SANTOS FERREIRA
Presidente - 1480830 - PETRUCIO BARROZO DA SILVA