Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: FÁBIO SANTOS DE OLIVEIRA
DATA: 06/02/2023
HORA: 09:00
LOCAL: Miniauditório do P²CEM
TÍTULO: INFLUÊNCIA DA TEMPERATURA DO SUBSTRATO NA ESTRUTURA DE FILMES FINOS DE ZrxSi1-XN DEPOSITADOS POR MAGNETRON SPUTTERING
REATIVO
PALAVRAS-CHAVES: Filmes finos; nitreto de zircônio; ZrSiN; magnetron sputtering reativo
PÁGINAS: 55
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:
Filmes finos de ZrxSi1-XN foram obtidos através da técnica de magnetron sputtering
reativo com o objetivo de avaliar a influência da temperatura do substrato na estrutura,
morfologia e dureza. Foram escolhidas duas amostras com teor de silício de 1,6 e 8,0 at.%
depositadas em substrato aquecido a 700ºC. Os filmes finos foram caracterizados por RBS,
GIXRD, MEV-FEG e nanodureza. A partir das análises de GIXRD foi possível observar que a
fase cúbica de face centrada (CFC) do ZrN se mantém para alta temperatura de deposição para
ambas as amostras com uma orientação preferencial de crescimento na direção (200) para a
amostra com 1,6 at.% de Si e uma orientação de crescimento mista para a amostra com 8,0 at.%
de Si nas direções (100) e (200). Análises de XPS ratificam que o silício estar presente na
estrutura na forma de Si3N4, independente do teor de silício adotado e da temperatura de
deposição, além da presença do silício livre (Si°) para a amostra com 8,0 at.% de silício
depositada a 700ºC. A presença do Si° ratificou a decomposição do Si3N4 em Si e N2 devido a
temperatura do substrato para altos teores de silício. A partir das micrografias obtidas por MEVFEG foi possível constatar a formação de uma morfologia com grãos colunares presente apenas
para a amostra com 1,6 at.% de Si, além de uma microestrutura mais densa. Os maiores valores
de dureza foram verificados para a amostra ZrSiN_1.6_700. O aumento da temperatura não
promoveu ganhos significativos para a amostra com 8,0 at.% de silício estando todos os valores
dentro da margem de erro.