Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: GENELANE CRUZ SANTANA
DATA: 24/02/2017
HORA: 09:00
LOCAL: Mini Auditório do P²CEM/DCEM
TÍTULO: POTENCIALIDADES DE NANOCRISTAIS SEMICONDUTORES A BASE DE ZINCO: CONTROLE DA COMPOSIÇÃO E DA ARQUITETURA MORFOLÓGICA ATRAVÉS DA ABORDAGEM DE SÍNTESE.
PALAVRAS-CHAVES: Nanocristais semicondutores, ZnS, ZnO, poliuretano.
PÁGINAS: 115
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:
A preparação de nanocristais semicondutores (NCs) tem sido objeto de estudo de pesquisa de vários trabalhos científicos devido às propriedades ópticas de luminescência que apresentam e ampla área de aplicação. No primeiro estudo deste Trabalho, foram preparados nanocristais de ZnS passivados com 2-mercaptoetanol, caracterizados e comprovada sua formação. Os mesmos foram incorporados em uma matriz polimérica pré-formada de poliuretano sendo incorporados à estrutura do polímero final, funcionando como um precursos do tipo poliol. Para o segundo estudo, uma vez que as propriedades ópticas podem ser melhoradas com a dopagem dos nanocristais, os mesmos foram dopados, porém uma modificação na parte experimental levou a formação de controlada ZnO no lugar de ZnS, introduzindo uma nova rota para a obtenção de ZnO. Os valores das concentrações utilizadas foram inferiores a 1%. Além disso, foi feito um estudo para correlacionar a estrutura-propriedade no qual foi observado que a substituição dos íons Mn+2 pelos íons Zn+2 influencia as propriedades ópticas do ZnO. Através das caracterizações, ficou confirmada a formação do ZnO e que a forma com a qual o passivante foi adicionado ao sistema favorecia ora a formação de ZnS (quando o passivante foi adicionado diretmente) ora de ZnO (quando feita uma solução do passivante). Como pequenas concentrações do dopante conduziram a resultados interessantes para o ZnO, os mesmos valores foram utilizados para dopar o ZnS, terceiro estudo, o qual apresentou uma automontagem após o processo de dopagem. Esta automontagem não influenciou a energia obtida pelos espectros deiiabsorção na região UV-Vis. No entanto, a presença do dopante quando analisada pela absorção atômica observou-se que a concentração dos íons Mn+2 aumenta no ZnS .Este aumento está em concordância com os espectros de emissão, os quais mostram um aumento do defeito proveniente de vacância de enxofre ou enxofre intersticial após o processo de dopagem indicando que os íons manganês, apesar da pequena concentração utilizada, estão presentes na estrutura do ZnS. O último estudo apresenta um novo arranjo supramolecular da estrutura cristalina do complexo de zinco e tiossemicarbazona [Zn(TPTSC)2], que apresenta potencial como precursor molecular do tipo single-source para a obtenção de nanocristais semicondutores de ZnO em trabalhos futuros.