Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: GIVANILSON BRITO DE OLIVEIRA
DATA: 03/03/2017
HORA: 14:00
LOCAL: Miniauditório do P²CEM/DCEM
TÍTULO: DEPOSIÇÃO E CARACTERIZAÇÃO DE FILMES FINOS DE TaAlN POR MAGNETRON SPUTTERING REATIVO
PALAVRAS-CHAVES: filmes finos; TaAlN; magnetron sputtering reativo;
PÁGINAS: 65
GRANDE ÁREA: Engenharias
ÁREA: Engenharia de Materiais e Metalúrgica
RESUMO:

Filmes finos de Ta-Al-N foram depositados por magnetron sputtering reativo, com o intuito de verificar a influência da variação do teor de alumínio na estrutura cristalina, na dureza e na resistência à oxidação desse revestimento. As amostras foram caracterizadas por Difração de Raios X em ângulo rasante (GIXRD), Microscopia Eletrônica de Varredura (MEV), Espectroscopia de Energia Dispersiva (EDS), Espectroscopia por Retroespalhamento Rutherford (RBS), análises de nanodureza e testes de oxidação a temperaturas de 500°C, 600°C e 700°C. Primeiro foi necessário definir os parâmetros de deposição de filmes finos de TaN estequiométrico e com estrutura cubica de face centrada. A partir disso, filmes finos de TaAlN foram depositados e apresentaram concentração em at.% de Al de 2, 5, 7, 14, 24 e 41. A fase cristalina obtida para os filmes de TaAlN só se apresentou constate com a adição de até 5 at.% de Al, com o aumento da concentração de Al o filme passa a ter uma tendência a ser amorfo. A partir das análises de MEV foi possível observar a superfície dos filmes após a oxidação, todos os filmes apresentaram defeitos, entretanto a quantidade desses defeitos foi menor nas amostras com menores concentrações de alumínio. Além disso, a adição de alumínio não trouxe ganhos significativos para a resistência à oxidação desse revestimento. O maior valor de dureza obtido foi de 29 GPa para as amostras contendo 14 at.%.

MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1819778 - EDUARDO KIRINUS TENTARDINI
Externo ao Programa - 1748688 - ROGERIO MACHADO
Interno - 2653918 - WILTON WALTER BATISTA