A UFS preocupa-se com a sua privacidade

A UFS poderá coletar informações básicas sobre a(s) visita(s) realizada(s) para aprimorar a experiência de navegação dos visitantes deste site, segundo o que estabelece a Política de Privacidade de Dados Pessoais. Ao utilizar este site, você concorda com a coleta e tratamento de seus dados pessoais por meio de formulários e cookies.

Ciente
News

Banca de DEFESA: THÁRCIO ADELINO CERQUEIRA

Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: THÁRCIO ADELINO CERQUEIRA
DATA: 25/07/2017
HORA: 09:00
LOCAL: SALA 23 DO DFI
TÍTULO: Cálculos das Propriedades Eletrônicas e Magnéticas da Manganita Multiferróica Hexagonal HoMnO3
PALAVRAS-CHAVES: Teoria do Funcional da Densidade; Propriedades Magnéticas; Manganita hexagonal HoMnO3.
PÁGINAS: 64
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Nesse trabalho foi realizado um estudo baseado na teoria do funcional da densidade das propriedades eletrônicas e magnéticas da manganita hexagonal multiferroica HoMnO3. Foram realizados cálculos com e sem a inclusão da interação spin-órbita utilizando o método full potential linearized augmented plane wave. Os efeitos de troca e correlação eletrônica foram aproximados via a generalized gradient approximation (GGA) e o método “+U” (ou GGA+U). É sabido que o magnetismo no HoMnO3 é devido aos estados 3d4 do Mn e 4f10 do Ho. Além disso, há consenso que a ordem magnética na sub-rede do Mn é não colinear devido aos momentos magnéticos (𝜇⃗) arranjados triangularmente no plano a-b do cristal. No caso dos 𝜇⃗ dos átomos de Ho, o arranjo é colinear e com 𝜇⃗ paralelos ao eixo c-cristalino. Porém, devido à complexidade da simetria cristalina e das variedades de íons magnéticos no material, a literatura ainda não chegou a um consenso quanto ao ordenamento magnético do estado fundamental deles (antiferromagnético – AFM, ferromagnético – FM ou uma combinação dos dois), bem como nas magnitudes dos 𝜇⃗. Neste trabalho, os principais objetivos foram: (1) avaliar a ordem magnética na sub-rede do Ho que corresponde ao estado fundamental magnético, (2) obter os valores dos respectivos 𝜇⃗ atômicos e (3) descrever a estrutura eletrônica do composto. Das nove estruturas magnéticas diferentes que foram simuladas, quatro delas são apresentados com maiores detalhes. Essas são resultado da combinação de duas possíveis configurações de spins colineares para o Mn (AFM do tipo A, A-AFM, e do tipo G, G-AFM) e duas para o Ho (FM e A-AFM). Observou-se que, dentre essas, a configuração de menor energia é aquela onde o Mn está arranjado segundo o tipo G – AFM e o Ho no tipo A – AFM. Esse resultado concorda com a previsão de um dos experimentos no que diz respeito à ordem na sub-rede do Ho. Porém, os valores dos μ calculados para os átomos de Ho não concordaram. Verificou-se que existe uma estreita relação entre a ordem magnética simulada e a estrutura eletrônica. Em especial, o band gap para as ordens magnéticas menos favoráveis energeticamente tende a deixar o composto com caráter metálico o que não é esperado experimentalmente. O HoMnO3 em estudo é um semicondutor cuja energia de gap óptico é aproximadamente de 1,7 eV. Empregando um U = 3,0 eV nos estados 3d do Mn e 4f do Ho, obtém-se uma energia de band gap de 1,29 eV. Para avaliar a estrutura eletrônica mais detalhadamente, realizaram-se cálculos de densidade de estados total e parciais, onde foi possível notar que os estados 4f do Ho hibridizados com os 2p dos O’s predominam no top da banda de valência e fundo da banda de condução do material.


MEMBROS DA BANCA:
Presidente - 1835424 - ADILMO FRANCISCO DE LIMA
Interno - 1502254 - MILAN LALIC
Externo ao Programa - 2584227 - RICARDO OLIVEIRA FREIRE

Notícia cadastrada em: 17/07/2017 10:20
SIGAA | Superintendência de Tecnologia da Informação/UFS - - | Copyright © 2009-2024 - UFRN - bigua2.bigua2 v3.5.16 -r19032-7126ccb4cf