Uma banca de DEFESA de MESTRADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: LIVIA SANTOS DE SANTANA
DATA: 31/07/2012
HORA: 09:00
LOCAL: SALA 23 DO DFI
TÍTULO:

ESTUDO DAS PRORIEDADES ESTRUTURAIS E
DOS DEFEITOS DA FAMÍLIA DOS SILICATOS DE CÁDMIO ATRAVÉS DA MODELAGEM COMPUTACIONAL

PALAVRAS-CHAVES:

Simulação computacional; silicatos de cádmio

PÁGINAS: 109
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Os silicatos de cádmio são materiais que apresentam propriedades ópticas interessantes. A exemplo de outros silicatos, o material é parcialmente covalente e parcialmente iônico. A característica covalente é dada pelas fortes interações Si-O, dentro do grupo (SiO4)2 -. A natureza iônica é devido à presença dos ions Cd2+ que interagem com o grupo silicato. No presente trabalho foi estudado este sistema através do método de modelagem computacional baseada em potenciais interatômicas e minimização de energia. Um conjunto de novos potenciais foi desenvolvido possibilitando reproduzir com boa precisão a estrutura da família de silicato de cádmio, sob a forma CdSiO3, Cd3SiO5 e Cd2SiO4. As interações consideradas nessas matrizes, além da interação Coulombiana, foram entre Cd-O, Si-O e O-O, e o termo de três-corpo O-Si-O; sendo este necessário para descrever a natureza covalence do grupo SiO4 . Este conjunto de potencial foi utilizado nos cálculos de defeitos com base na aproximação de Mott-Littleton. Essa teoria foi incorporada no código GULP. No caso da fase CdSiO3, ambos os defeitos intrínsecos e extrínsecos foram estudados. Os seguintes defeitos intrínsecos foram considerados: Schottky, Pseudo-Schottky, Anti-Schottky e Frenkel. O defeito intrínseco mais favorável energeticamente foi o defeito Frenkel do cádmio, mas o pseudo-Schottky do composto CdO também pode ocorrer.Os defeitos extrínsecos devido a dopantes trivalentes também foram modelados. Os dopantes trivalentes podem, em princípio, ser incorporado na matriz por substituição no sítio do Cd ou sítio de Si. Em ambos os casos, os mecanismos de compensação de carga são necessários para manter a neutralidade de carga da rede e uma série de mecanismos possíveis foram considerados incluindo vacâncias de Cd2 +, O2- ou intersticiais de Cd2+ ou O2-. Para cada mecanismo, uma reação de estado sólido foi formulada e a energia de solução correspondente foi calculada. O defeito mais favorável é aquele que corrersponde a energia de solução de menor valor. Os resultados indicam que o íon trivalente substitui o sítio do Cd2+ por compensação de cádmio no sítio do silício. No entanto, outras ocupações no sítio do cádmio são possiveis devido a uma pequena diferença nas energias de solução.

MEMBROS DA BANCA:
Externo à Instituição - CARLOS WILLIAM DE ARAUJO PASCHOAL
Presidente - 426667 - MARIO ERNESTO GIROLDO VALERIO
Interno - 2687334 - RONALDO SANTOS DA SILVA