Banca de DEFESA: IAGO LEMOS DIAS
01/02/2024 14:43
Filmes finos de Ti1-xAlxN com diferentes teores de Al (20, 40 e 60 at.%) foram depositados por magnetron sputtering reativo com o objetivo de estudar a estrutura na qual os filmes se apresentam, avaliando se há formação de uma solução sólida Ti1-xAlxN ou se existe somente a presença de dois nitretos binários TiN + AlN. Os ensaios de MEV-FEG, nanodureza e oxidação em altas temperaturas foram inconclusivos para determinar a estrutura dos filmes finos entretanto, as análises de GAXRD das amostras indicaram uma redução no parâmetro rede e um aumento no tamanho dos cristalitos, fornecendo maiores evidências da formação do nitreto ternário Ti1-xAlxN em todos os revestimentos a partir da substituição do Ti por Al na estrutura do TiN. Os resultados de XPS constataram a presença da ligação química Ti-Al-N a partir da análise das regiões do Ti 2p, Al 2p e N 1s, confirmando a formação da solução sólida Ti1-xAlxN em todas as amostras depositadas.
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