Banca de DEFESA: JULIO CÉSAR VALERIANO DOS SANTOS
18/01/2023 11:36
Filmes finos de Zr-Si-N com adição de 1,6% de Si foram depositados via magnetron
sputtering reativo e caracterizados por RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS e testes de oxidação
em alta temperatura, visando investigar como estruturalmente o silício é inserido na matriz de
ZrN. As análises GAXRD mostram uma redução no parâmetro de rede e no tamanho de grão
devido à incorporação de Si e as análises XPS demonstram que o Si está presente na forma
de nitreto. Tais observações sugerem a não formação de solução sólida substitucional ou
intersticial com ZrN, mas a presença de Si3N4, mesmo em baixas concentrações de Si.
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