Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: MEIRIELLE MARQUES DE GÓIS
DATA: 03/03/2020
HORA: 15:00
LOCAL: SALA 23 DO NPGFI
TÍTULO: Caracterizações de filmes finos de titanato de cobalto para aplicação em sistemas memristivos.
PALAVRAS-CHAVES: memristor, comutação resistiva, filmes finos, Co0,2T iO3,2, Co2T i0,7O4−δ.
PÁGINAS: 115
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
SUBÁREA: Física da Matéria Condensada
RESUMO:

Investigamos filmes finos de P t/Co0,2T iO3,2/IT O e P t/Co2T i0,7O4−δ/IT O com di-ferentes espessuras a partir da t ́ecnica de magnetron sputtering, com o objetivo de avaliar
seus potenciais de aplica ̧c ̃ao em dispositivos memristors. Foram utilizadas caracteriza ̧c ̃oespor difratometria de raios X (DRX), reflectometria de raios X (RRX), espectroscopia deretroespalhamento Rutherford (RBS), espectroscopia de fotoel ́etrons por raios X (XPS),espectroscopia UV–VIS, an ́alises el ́etricas e magn ́eticas. Os sistemas com estrutura debaixa cristalinidade apresentaram desempenho multifuncional revelando propriedades de
comuta ̧c ̃ao resistiva bin ́aria e anal ́ogica. A presen ̧ca de vacˆancias de oxigˆenio confirma-das por XPS e absor ̧c ̃ao UV–VIS s ̃ao agentes ativos no processo de transporte el ́etrico
da comuta ̧c ̃ao filamentar e na atividade adaptativa da condutˆancia. Testes de reten ̧c ̃aonos regimes de alta (HRS) e baixa (LRS) resistˆencia revelaram uma boa raz ̃ao entre osestados resistivos, com magnitudes na ordem de 104e 106. Al ́em disso, a existˆencia de ́ıons Co2+ e Co3+ proporcionaram um comportamento paramagn ́etico em 300 K e fracoferrimagnetismo em 5 K, assim como um efeito magn ́etico capaz de influenciar na respostael ́etrica dos dispositivos.

MEMBROS DA BANCA:
Externo ao Programa - 2523631 - ELIANA MIDORI SUSSUCHI
Interno - 1373167 - JOSE JOATAN RODRIGUES JUNIOR
Presidente - 2027874 - MARCELO ANDRADE MACEDO
Externo à Instituição - PEDRO DE LIMA NETO
Interno - 1502255 - SUSANA DE SOUZA LALIC