Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ADOLFO HENRIQUE NUNES MELO
DATA: 18/02/2020
HORA: 15:00
LOCAL: SALA 23 DO NPGFI
TÍTULO: COMPORTAMENTO HOMOGÊNEO E FILAMENTAR NA COMUTAÇÃO RESISTIVA DE FILMES FINOS DE ZNO/ZNO-AL
PALAVRAS-CHAVES: memristor; comutação resistiva; comutação homogênea; filamentar; ZnO; ZnO- Al; filmes finos; sputtering.
PÁGINAS: 62
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

O memristor é um dispositivo eletrônico de dois terminais cuja resistência elétrica pode sercontrolada através de excitação por tensão elétrica. Atualmente, estes dispositivos tem atraído muitaatenção por sua aplicabilidade em memórias não voláteis com facilidade de gravação deinformação, baixa potência consumida, alta densidade de armazenamento, além da capacidade desimular os mecanismos de sinapses biológicas, de adaptar-se aos estímulos elétricos externos ealcançar diversos níveis de resistência de forma não volátil. Filmes finos de ZnO/ZnO-Al podem serexcelentes candidatos uma vez que há diversos trabalhos publicados em comutação resistiva deZnO e ZnO:Al, no entanto ainda não é completamente compreendido os mecanismos dessacomutação, bem como não há trabalhos que envolvam processos de transição do comportamentohomogêneo para filamentar em função da faixa de tensão de aplicada ou da frequência de excitaçãoou mesmo a influência da incidência de luz violeta nos comportamentos memristivos em filmesfinos de ZnO/ZnO-Al. Dessa forma, filmes finos de ZnO/ZnO-Al com espessuras de ZnOdiferentes, utilizando magnetron sputtering, foram construídos a fim demonstrar a modulação daresistência elétrica em função da história de excitação por tensão nas faixas de 0 a 1 V, 0 a V, 0 a 4V, com frequências variando de 1 Hz a 20 Hz, bem como caracterizar a estrutura cristalina,determinar as propriedades ópticas de transmissão-absorção, determinação do bandgap e analisar ocomportamento memristivo sob incidência de luz violeta. Os filmes demonstraram que estados maiscondutores foram alcançados para menores valores de frequência. A comutação resistivahomogênea foi observada, porém para faixas de tensões maiores a transição para comportamentofilamentar foi percebida. A característica homogênea foi explicada através da migração de íons deAl para a camada de ZnO, enquanto que a transição para filamentar ocorreu por migraçãosimultânea de Al e vacâncias de O favorecendo a criação de um caminho condutor metálico. ATransmitância média na região do visível foi em torno de 88% para a amostra de menor espessura ea energia de bandgap variou de 3,19 a 3,26 eV para a maior e menor espessura de ZnO,respectivamente. As varreduras de tensão sob luz violeta e escuro alternadamente resultou emmaiores intensidades de corrente quando iluminado, porém conforme ocorreram os ciclos, amigração de Al e O pode ter resultado na formação de óxidos Al 2 O 3 além do ZnO. Todos osresultados sugeriram possíveis aplicações em sistemas adaptativos onde um controle gradual daresistência se fizer necessário.

MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1296993 - DIVANIZIA DO NASCIMENTO SOUZA
Externo ao Programa - 1819778 - EDUARDO KIRINUS TENTARDINI
Externo à Instituição - JOSÉ MARCOS SASAKI
Presidente - 2027874 - MARCELO ANDRADE MACEDO
Interno - 1809133 - NILSON DOS SANTOS FERREIRA