Uma banca de DEFESA de DOUTORADO foi cadastrada pelo programa.
DISCENTE: ALINE DO NASCIMENTO RODRIGUES
DATA: 07/11/2018
HORA: 09:00
LOCAL: SALA 23 DO NPGFI
TÍTULO: Estudo de comutação resistiva em filmes finos de Al2O3 e ZnO para aplicação em dispositivos de “memória resistiva de acesso aleatório” (RRAM) e interruptor eletrônico (IE)
PALAVRAS-CHAVES: Comutação resistiva, Filmes finos, pulverização catódica, Al2O3, ZnO, RRAM
PÁGINAS: 80
GRANDE ÁREA: Ciências Exatas e da Terra
ÁREA: Física
RESUMO:

Os dispositivos de filmes finos de Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITO e Pt/ZnO/Cu/ITO ePt/ZnO/Cu/Pt foram fabricados utilizando um sistema de deposição pulverização catódica (DCe RF). Como eletrodo superior foi utilizado uma ponta de Pt e como eletrodo inferior foramutilizados ITO (comercial) e Pt depositada em vidro utilizando um sistema pulverizaçãocatódica DC. Medidas elétricas foram realizadas a fim de verificar a existência docomportamento de Comutação Resistiva. Curvas I x V foram realizadas a fim de testar areprodutibilidade do dispositivo, utilizando vários pontos por toda a amostra. Para o dispositivoPt/ZnO/Cu/Pt depositado em temperatura ambiente, nenhuma comutação resistiva foiencontrada. Apenas um comportamento de comutação Threshold (caráter não volátil) foi obtidopara a amostra Pt/ZnO/Cu/Pt fabricada com aquecimento durante a deposição do filme de ZnO.Já para o dispositivo Pt/ZnO/Cu/ITO foi encontrado o comportamento de comutação resistivaunipolar apenas na polarização negativa. Para os dispositivos baseados em Al2O3, a comutaçãoresistiva foi obtida também na polarização negativa. O modelo filamentar por migração devacâncias de oxigênio é sugerido para explicar o comportamento de comutação resistivaencontrado. As medidas de retenção dos dispositivos Pt/ZnO/Cu/ITO e Pt/Al2O3/Cu/Al2O3/ITOmostrou boa distinção entre os estados de alta e baixa resistência (razão ON/OFF), com opassar do tempo, o que evidencia o potencial destes dispositivos para serem aplicados emdispositivos de memória não volátil, RRAMs.

MEMBROS DA BANCA:
Interno - 1296993 - DIVANIZIA DO NASCIMENTO SOUZA
Externo à Instituição - JOSÉ MARCOS SASAKI
Presidente - 2027874 - MARCELO ANDRADE MACEDO
Externo ao Programa - 1515782 - MARCELO JOSE BARROS DE SOUZA
Interno - 1809133 - NILSON DOS SANTOS FERREIRA